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VT321半导体参数测试仪，支持SMU、LCR、PGU、PMU等PXIe标准模块，满足复杂测试需求。配备15.6英寸高清屏，预装Windows 10及VTNext软件，提供I-V、C-V、脉冲I-V测试功能，内置MOSFET、BJT、二极管、电阻及电容等丰富的器件类型库，为现代半导体、材料和工艺表征提供高级测试定义、参数分析、图表绘制和自动化功能。
TH510系列半导体C-V特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。
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SA8000 半导体参数分析仪|联讯仪器 (在产)
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系统与解决方案
联讯仪器 Semight
半导体参数分析仪 SA8000
联讯仪器 SA8000 是一款多功能、高集成度的参数分析仪，致力于实现高效、精准的电子器件表征。该系统具备全方位的测量能力，可执行标准直流 I-V、C-V 测量以及高精度的瞬态脉冲测试。
产品简介
联讯仪器 SA8000 是一款多功能、高集成度的参数分析仪，致力于实现高效、精准的电子器件表征。该系统具备全方位的测量能力，可执行标准直流 I-V、C-V 测量以及高精度的瞬态脉冲测试。凭借其出色的测量稳定性和高度的数据可重复性，SA8000能够为复杂器件提供全面且可靠的参数分析解决方案。
核心参数
• 高端测试平台：亚飞安级电流分辨率
• 极致微弱电流探测：0.1 fA（10-16 A）的电流测量分辨率
• 全集成多维度测试能力：灵活组合直流IV、CV及快速脉冲测量单元
• 无需编程的Quick Test模式：快速测试器件的特性曲线或关键参数
功能与优势
全功能/高精度测试测量
• HPSMU 源测量分辨率（100nV/1fA）
• HRSMU 源测量精度 （100nV/0.1fA）
• HV-SPGU 超快速脉冲和瞬态IV测量 (Rise/Fall time, 20ns)
• WGFMU 复杂波形的生成(ALWG)及快速测量(Fast I/V, 500MSa/s)
• MFCMU 多频率电容测量(10MHz)
SemiExpert专业软件
• 支持开关矩阵（Switch）
• 支持探针台(Prober)
• 开放的算法库 (Python)
• 实时图表绘制 (Chart)
可选模块
• 模块 模块名称 占用槽位 测试项目 主要指标 S2016C-SA High Power Source Measure Unit 1 DC I-VPulsed I-V 电压最高 200 V / 电流 1 A (脉冲模式可达 3 A)最小分辨率：1 fA / 100 nV S2017C-SA High Resolution Source Measure Unit 1 DC I-VPulsed I-V 电压最高 200 V / 电流 1 A最小分辨率：1 fA / 100 nV可选配前置单元支持 0.1 fA 及 IV/CV 切换 Z4001C-SA Multi-Frequency Capacitance Measurement Unit 2 AC ImpedanceC-V, C-f, C-t 频率范围：20 Hz 至 2 MHz内置 ±40 V 直流偏置 S3023P-SA Semiconductor Pulse Generator Unit 2 2-Level/3-Level PulseALWG 高压输出高达 ±40 V最小脉冲宽度：20 ns S3033C-SA Waveform Generator and Fast Measurement Unit 3 PG/Fast IVALWGTransient Waveform Capture 波形生成编程分辨率：2 ns250 MSa/s 同步高速测量20 V 峰峰值输出
典型应用
• 类别 应用测试 CMOS 晶体管 Id-Vg, Id-Vd, Vth, Breakdown, Capacitance, Self-heating reduction, etc. 双极结型晶体管 (BJT) Ic-Vc, Diode, Gummel plot, Breakdown, hFE, Capacitance, etc. 分立器件 Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Diode, etc. 存储器 Vth, Capacitance, Endurance test, etc. 功率器件 Pulsed Id-Vg, Pulsed Id-Vd, Breakdown, etc. 纳米器件 Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, etc. 可靠性测试 NBTI/PBTI, Charge pumping, Electromigration, Hot Carrier Injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB, etc.
典型应用场景
面向半导体参数测试、器件 I-V 表征、器件 C-V 表征等应用场景。
• 半导体参数测试
• 器件 I-V 表征
• 器件 C-V 表征
资源下载
• SA8000 详细指标见 SA8000 详细指标页。
注：以上内容与指标取自苏州联讯仪器股份有限公司官网该产品详情页与官方数据手册。
联讯仪器 · onetest 仪器资源库
联讯仪器 Semight
半导体参数分析仪 SA8000 详细指标
联讯仪器 SA8000 是一款多功能、高集成度的参数分析仪，致力于实现高效、精准的电子器件表征。该系统具备全方位的测量能力，可执行标准直流 I-V、C-V 测量以及高精度的瞬态脉冲测试。
产品简介
联讯仪器 SA8000 是一款多功能、高集成度的参数分析仪，致力于实现高效、精准的电子器件表征。该系统具备全方位的测量能力，可执行标准直流 I-V、C-V 测量以及高精度的瞬态脉冲测试。凭借其出色的测量稳定性和高度的数据可重复性，SA8000能够为复杂器件提供全面且可靠的参数分析解决方案。
技术指标
该型号官网未附独立规格表，以下为官方产品页公布的参数与特性指标。
产品特点
• 高端测试平台：亚飞安级电流分辨率
• 极致微弱电流探测：0.1 fA（10-16 A）的电流测量分辨率
• 全集成多维度测试能力：灵活组合直流IV、CV及快速脉冲测量单元
• 无需编程的Quick Test模式：快速测试器件的特性曲线或关键参数
功能与优势
• 全功能/高精度测试测量：HPSMU 源测量分辨率（100nV/1fA）
• HRSMU 源测量精度 （100nV/0.1fA）
• HV-SPGU 超快速脉冲和瞬态IV测量 (Rise/Fall time, 20ns)
• WGFMU 复杂波形的生成(ALWG)及快速测量(Fast I/V, 500MSa/s)
• MFCMU 多频率电容测量(10MHz)
• SemiExpert专业软件：支持开关矩阵（Switch）
• 支持探针台(Prober)
• 开放的算法库 (Python)
• 实时图表绘制 (Chart)
• 模块 模块名称 占用槽位 测试项目 主要指标 S2016C-SA High Power Source Measure Unit 1 DC I-VPulsed I-V 电压最高 200 V / 电流 1 A (脉冲模式可达 3 A)最小分辨率：1 fA / 100 nV S2017C-SA High Resolution Source Measure Unit 1 DC I-VPulsed I-V 电压最高 200 V / 电流 1 A最小分辨率：1 fA / 100 nV可选配前置单元支持 0.1 fA 及 IV/CV 切换 Z4001C-SA Multi-Frequency Capacitance Measurement Unit 2 AC ImpedanceC-V, C-f, C-t 频率范围：20 Hz 至 2 MHz内置 ±40 V 直流偏置 S3023P-SA Semiconductor Pulse Generator Unit 2 2-Level/3-Level PulseALWG 高压输出高达 ±40 V最小脉冲宽度：20 ns S3033C-SA Waveform Generator and Fast Measurement Unit 3 PG/Fast IVALWGTransient Waveform Capture 波形生成编程分辨率：2 ns250 MSa/s 同步高速测量20 V 峰峰值输出
• 类别 应用测试 CMOS 晶体管 Id-Vg, Id-Vd, Vth, Breakdown, Capacitance, Self-heating reduction, etc. 双极结型晶体管 (BJT) Ic-Vc, Diode, Gummel plot, Breakdown, hFE, Capacitance, etc. 分立器件 Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, Diode, etc. 存储器 Vth, Capacitance, Endurance test, etc. 功率器件 Pulsed Id-Vg, Pulsed Id-Vd, Breakdown, etc. 纳米器件 Resistance, Id-Vg, Id-Vd, Ic-Vc, etc. 可靠性测试 NBTI/PBTI, Charge pumping, Electromigration, Hot Carrier Injection, V-Ramp, J-Ramp, TDDB, etc.
资源下载
• SA8000 产品介绍见 SA8000 产品介绍页。
说明
以上指标摘自苏州联讯仪器股份有限公司官网该产品详情页与官方数据手册；若与随机文件不一致，以随箱文件为准。
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