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联讯仪器8通道PXIe SMU S2020C,多通道并行、中功率驱动一举两得

  • 分类:新品发布
  • 作者:联讯仪器
  • 来源:联讯仪器
  • 发布时间:2026-10-21 21:23
  • 访问量:33

联讯仪器8通道PXIe SMU S2020C,多通道并行、中功率驱动一举两得

Onetest仪器资源库 · 新品速递

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联讯仪器新一代中功率高密度 PXIe 源表 S2020C 发布:单槽集成 8 路独立通道,±10 V / ±200 mA 输出,电压分辨率 1 μV、电流分辨率 1 pA,最高采样率 1 MS/s。

一句话说清它的位置——小电流高密度(S2014C)与大功率低通道(S2019C)之间,此前没有一块卡能同时给到多通道和 ±200 mA 驱动。

联讯仪器 S2020C 八通道精密源表

联讯仪器 S2020C 八通道精密源表,标准单槽 PXIe 形态

01   补的是「多通道」与「中功率」之间的空白

多通道并行与中功率驱动这两个要求经常同时出现,但传统方案普遍两难:小电流板卡驱动能力不足,大功率板卡通道数稀缺。S2020C 在标准单槽 PXIe 尺寸内给出 8 通道 ×(±200 mA),直接填这块空档。

并行通道数 单槽 8 路独立源测,多机箱多级级联,单机箱最多 17 张 PXIe SMU

输出能力 ±10 V 电压平台,±200 mA 直流/脉冲双模式

分辨率 1 μV 电压 / 1 pA 电流,最小量程仍保持

02   电流做到 ±200 mA 之后,能驱动什么

基于 ±10 V 电压平台,电流输出相比同门小电流板卡大幅跃升,可直驱 VCSEL、激光器、功率型器件等各类中功率被测负载。

S2020C 四象限输出范围

±10 V / ±200 mA 四象限输出范围,直流与脉冲共用同一通道

直流与脉冲共用一套通道,最小脉宽 100 μs、脉宽分辨率 1 μs。脉冲 LIV 扫描、器件热特性表征这类需要在脉冲与直流间来回切的测试,不必为脉冲能力再上一套设备。

03   小量程精度与量产节拍

±0.6 V 电压量程精度 0.02% + 50 μV,±1 μA 电流量程精度 0.05% + 300 pA——量程压到最小,仍然维持 1 μV / 1 pA 的分辨率,这是测微弱信号时真正决定能不能分开两个相邻状态的一档指标。

采样最高 1 MS/s,NPLC 与采样速率可灵活配置,配合 APFC 自适应快速建立技术,用户可按负载特性在「快速建立」与「低过冲」之间权衡。四线电阻测量覆盖 100 Ω ~ 1 MΩ。

04   级联、接口与保护

多卡级联扩展与硬件同步触发走 PXIe 原生协议,单机箱最大支持 17 张 PXIe SMU;控制采用标准 SCPI,提供 C#、Python、C/C++、LabVIEW 编程接口,测试系统里的软件集成成本可以压得很低。

PXIe 多卡级联拓扑

单机箱最多 17 张 PXIe SMU,主机经 PXIe 机箱统一控制

保护机制是产线设备更在意的那一面:过温触发整机电源关断,过流、过压走硬件告警红灯提示,并支持硬件复位快速恢复——产线上最怕的不是报错,是报错之后恢复不了。

05   核心参数

通道数 8 通道

电压输出 ±10 V

电流输出 ±200 mA(DC/Pulse)

电压分辨率 1 μV(3 V / 0.6 V 档)

电流分辨率 1 pA

最高采样率 1 MS/s

电压最小量程精度 0.02% + 50 μV(±0.6 V 档)

电流最小量程精度 0.05% + 300 pA(±1 μA 档)

最小脉宽 100 μs,脉宽分辨率 1 μs

传感模式 2 线 / 4 线

同步触发 8 路内部 + 1 路外部 DIO

尺寸 / 重量 210 × 130 × 20 mm / ≤0.48 kg

06   三个型号怎么选

S2014C 12 通道 / ±10 V / ±50 mA —— 小电流高密度,小信号多通道测试

S2019C 4 通道 / ±40 V / ±500 mA、±1 A 脉冲 —— 大功率低通道

S2020C 8 通道 / ±10 V / ±200 mA —— 中功率高密度

选型就三条线:需要 ≥500 mA 或 ±40 V,走 S2019C;追求极致通道数、电流在 ±50 mA 以内,走 S2014C;既要多通道并行又要 ±200 mA 中功率驱动,S2020C 是唯一解。

07   典型测试场景

光电器件与 LIV 扫描 VCSEL、激光器、光电二极管的 LIV 曲线,±200 mA 脉冲/直流驱动覆盖中大功率光芯片

半导体多通道并行 单卡 8 通道、多卡同步扩展,面向 PMIC、模拟芯片与各类传感器做多工位并行源测

新材料与器件表征 MEMS、纳米材料、第三代半导体器件的 I-V 特性、电阻参数与脉冲热效应

高吞吐生产测试 1 MS/s 采样配合 APFC 快速建立,压缩单工位测试耗时,降低多通道系统综合成本

配套方面,联讯提供内置常见半导体器件测试算法的测量软件、围绕常见测量难题的应用笔记,以及应用工程师团队的技术支持。


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