110GHz国产Bias-Tee：中微普业BT110A插损1.3dB

技术创新 · 毫米波无源器件

110GHz国产Bias-Tee：
中微普业BT110A插损1.3dB

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引言：毫米波时代的射频核心痛点

在1.6T/800G光模块VCSEL调制芯片、激光器、SerDes高速数据接口、超宽带功率放大器芯片、有源天线等测试/集成应用场景中，一个火柴盒大小的器件——Bias-Tee（直流偏置器），正成为影响系统性能的关键。随着通信频段向毫米波（30GHz~300GHz）快速迁移，传统Bias-Tee面临三大致命挑战：

(1)高频损耗：40GHz以上频段，信号衰减呈指数级上升。

(2)功率瓶颈：GaN功率放大器普及后，偏置电流需求从100mA级跃升至500mA+。

(3)市场垄断：长期以来，高频Bias-Tee市场被德国SHF、美国Marki/HL等企业垄断，单价超4000美元，且供货周期长达6个月。

而中微普业推出的BT110A，不仅将频率上限推至110GHz，更以“军工级可靠性+民用级成本”实现国产替代，成为破局高频射频“卡脖子”技术的标杆产品。

BT110A实物展示

一、技术突破：BT110A
如何攻克毫米波极限

1.材料与工艺创新

电容革命

BT110A中的陶瓷电容相比传统电容，具有高耐压、高自谐振频率、小尺寸与高可靠性等优势，完美适配高频链路的阻抗匹配与集成需求。

电感微型化

通过各种形态电感设计与工艺和材料突破，解决了超宽带高Q值难题，尺寸＜0.5mm×0.5mm，同时实现≥400mA电流承载能力（行业平均200mA）。

2.高频性能实测数据对比

数据来源：中微普业实验室、SHF/HL官网

3.环境可靠性设计

热管理方案

采用高导热构造与特殊工艺散热，在110GHz满功率（2W）下，温升低于竞品，并通过168小时连续满载测试（国际标准72小时）。

振动与高低温测试

模拟光通信测试场景，在20-2000Hz随机振动、-40℃~85℃极端温度下，性能波动<3%。

二、市场定位：BT110A的核心战场

1.光通信高速场景：打破
“通信器件”垄断

场景需求

≥112Gbps高速数据测试场景中，需覆盖信号最高频率（如100G光模块需≥50GHz）；关注低插损、驻波比与串扰；匹配50Ω阻抗。

实测数据

在BT110A全频段，最大插损低于2dB，典型驻波比1.35，整体群时延在40–60ps区间波动，无明显随频率单调递增或递减的趋势。

数据展示1

数据展示2

2.放大器场景：稳定工作+
高效信号传输

性能挑战

不干扰射频信号宽频传输的前提下，为宽带放大器提供纯净直流偏置，减少射频信号的反射，提供sense电流/电压监测端口（可选配）、扼制功放振荡、解决“供电与信号共链路”的核心需求。

三、国产替代逻辑：从“能用”
到“好用”的跨越

1.成本优势：击穿外资定价体系

注：实际价格会随市场波动，此处2025年市场报价仅供参考。

2.供应链安全：全自主可控生产线

从陶瓷基板光刻到电感微加工，100%国产供应链完成，规避美国EAR出口管制风险。

从跟跑到领跑的技术突围

据Yole Group数据，2023年全球高频Bias-Tee市场规模约1.2亿美元，2028年将达4.5亿美元（CAGR 30%），其中中国厂商份额有望从15%提升至40%。

中微普业BT110A的突破，不仅在参数上对标国际巨头，更标志着中国射频器件企业已掌握“高频+高功率+高可靠”三位一体的核心技术能力。我们也跟随市场448Gbps高速互联的需求，继续向220GHz Bias-Tee迈进。

在毫米波通信、卫星互联网、自动驾驶等万亿级市场爆发前夜，国产Bias-Tee的崛起，正为全球超高速光通信注入新的变量。

中微普业科技成立于2004年，在北京、成都、东莞设有研发和制造中心，在上海、深圳设立市场中心，专注于依托射频微波技术，为通信设备及终端制造商、系统集成商，提供产品设计、研发、制造及服务。

在通信及制造行业：产品主要包含产品单板FT/ICT测试设备、OTA（近场、混响、紧缩场）测试装备、射频开关矩阵、信道模拟、及相关测试用射频元器件（天线、LNA、滤波器、Bias-Tee、DC-Block等）。

在轨道交通行业：产品主要包含天线、射频通信器件、漏缆监测设备、车载信号接入收发解决方案、以及相关软件平台和定制化通讯产品。

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