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把 DRAM 老化（BI）与核心（Core）测试流程整合到一套系统，并行容量达 16,896 台器件，减少 BI 到核心测试之间的损失时间
面向存储器大批量老化的测试系统，以高达 10MHz 频率并行测试多个老化板，B6700 单机可并行测试多达 48 块老化板
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JH5520老化测试系统是针对HBM封装老化测试设备，支持高速、宽温度范围、大负载功耗的动态老化测试解决方案
主要针对DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量动态老化测试解决了DRAM可靠性和车规级器件的长时间、宽温测试的难题支持最大24个老化单板并行测试速率最高可升级200MHz已经完成迭代支持UFS4.1的BI测试UFS5.0适配迭代中
主要针对高速DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量的动态老化测试支持最大48个老化单板并行测试测试速度最高达到200MHz已经完成迭代支持UFS4.1的BI测试UFS5.0适配迭代中
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JH5302 Bl Test System 低速Flash BIST老化测试设备|武汉精测 (在产)
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系统与解决方案
武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JH5302 Bl Test System 低速Flash BIST老化测试设备
存储芯片测试 · 存储芯片老化系统
产品简介
搭载自主研发适配NAND、UFS、Emmc、DRAM等Memory器件的老化测试板，针对Memory器件提供长期高低温的测试环境，从而加速模拟器件的长期老化，测试复现常温无法发现的故障现象，目前已经开发JH5302/JH5400/JH5500/JH5510等系列成熟产品，满足FLASh/DRAM存储器件的测试需求，已经完成选代支持UFS4.1的BI测试UFS5.0适配迭代中。
核心参数
• 设备尺寸（W×D×H）：4205 × 1640 × 2275 mm
• 板卡版本：UFS BIB、eMMC BIB
• 电源 电压：AC380 V；3Phase
• 电源 电流：Tester：250 A；Chamber：116 A
资源下载
• JH5302 Bl Test System 低速Flash BIST老化测试设备 的全部技术指标已单独整理，见本产品详情页「详细指标」标签。
以上内容与指标均取自武汉精测（武汉精测电子集团股份有限公司）官网该产品详情页与官方产品资料，未标注口径的为厂家公布值。
武汉精测电子集团股份有限公司 · onetest 仪器资源库
武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JH5302 Bl Test System 低速Flash BIST老化测试设备 详细指标
存储芯片测试 · 存储芯片老化系统
详细指标
指标取自厂家官网该产品页的规格表截图，按原图转写，未做换算。
整机与电源
• 设备尺寸（W×D×H）：4205 × 1640 × 2275 mm
• 板卡版本：UFS BIB、eMMC BIB
• 电源 电压：AC380 V；3Phase
• 电源 电流：Tester：250 A；Chamber：116 A
Chamber
• Zone：2
• Slot：60
• 温度设定范围：-40 至 150 ℃
• 温度最小单位：1.0 ℃ / 0.1 ℃（set / monitor）
• 温度精度：±3 ℃
测试能力
• 最大测试频率：20 MHz / 40 Mbps
• 适配 DUT：NAND / eMMC / UFS
武汉精测官网 www.wuhanjingce.com 产品页与官方产品手册，采集于 2026-10-22
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• Email jc@wuhanjingce.com
• 地址 武汉市东湖新技术开发区佛祖岭四路2号
• 官网 https://www.wuhanjingce.com/
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