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D-HTFB双极性测试系统是针对SiC MOSFET体二极管双极退化机理自主研发的高加速可靠性测试解决方案
设备集大电流脉冲源、高精度静态参数测量与动态结温控制于一体，系统基于动态高温正向偏压测试原理，通过向被测器件施加重复性的大电流双极脉冲，精准激发并量化体二极管的堆层错扩展导致的性能退化
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JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统|武汉精测 (在产)
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武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
产品简介
D-HTFB双极性测试系统是针对SiC MOSFET体二极管双极退化机理自主研发的高加速可靠性测试解决方案。设备集大电流脉冲源、高精度静态参数测量与动态结温控制于一体，系统基于动态高温正向偏压测试原理，通过向被测器件施加重复性的大电流双极脉冲，精准激发并量化体二极管的堆层错扩展导致的性能退化。
核心参数
• DUT 数量：80 个 DUT（单管 TO247 封装）
• 被测器件封装：单管：TO247；模块：HPD、ED3、Easy、DCM 等
• 加电电流值范围 Ip：5 A 至 400 A
• 电流脉宽 Tp：1 μs 至 1 ms
• 电流上升下降时间 Tr、Tf：＜2 μs
资源下载
• JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统 的全部技术指标已单独整理，见本产品详情页「详细指标」标签。
以上内容与指标均取自武汉精测（武汉精测电子集团股份有限公司）官网该产品详情页与官方产品资料，未标注口径的为厂家公布值。
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武汉精测 武汉精测电子集团股份有限公司
JHP580 Series 第三代功率半导体双极性脉冲测试系统 详细指标
功率器件测试 · 晶圆级老化系统
详细指标
指标取自厂家官网该产品页的规格表截图，按原图转写，未做换算。
老化规格（DHTFB）
• DUT 数量：80 个 DUT（单管 TO247 封装）
• 被测器件封装：单管：TO247；模块：HPD、ED3、Easy、DCM 等
• 加电电流值范围 Ip：5 A 至 400 A
• 电流脉宽 Tp：1 μs 至 1 ms
• 电流上升下降时间 Tr、Tf：＜2 μs
• 脉冲频率 fp：1 Hz 至 10 kHz
• 加电电流精度：≤0.2%FS
• 应力电流波形：方波与三角波
• Vgs 关断电压：0 至 -20 V
• 保护方式：过流 / 过压 / 过温
• 壳温采样精度：±1 ℃
• 冷却方式：水冷
• 结温测试和估算：支持
参数测试指标（DHTFB）
• 静态参数测试项：Rds(on)、VF、Idss、Igss、Vth
• VF / Rds(on) 测试精度：0.1% × set + 0.1% × range
• VF / Rds(on) 测试脉冲电流 Ip：0 至 100 A
• VF / Rds(on) 测试脉冲上升时间 Tr：＜2 μs
• 被测器件 Vds 范围：≤2000 V
• Vth 检测精度与分辨率：(0.02% + 1 mV)@20 V、10 μV
• Igss 检测精度与分辨率：(0.1% + 1 nA)@100 nA、0.01 nA；(0.1% + 10 nA)@1 μA、0.1 nA；(0.1% + 100 nA)@10 μA、1 nA
• Idss 检测精度与分辨率：(0.5% + 10 nA)@1 μA、0.1 nA；(0.5% + 100 nA)@10 μA、1 nA；(0.5% + 1 μA)@100 μA、10 nA
武汉精测官网 www.wuhanjingce.com 产品页与官方产品手册，采集于 2026-10-22
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