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L-TEM室是凌世根据ISO11452-3及CISPR25标准要求采用横电磁波产生原理研制的测试环境，同时也提供基于此测试环境上的汽车电子零部件产品的抗扰度及发射测量的预测试系统，该TEM小室制作精良、特性优异、功能齐全，是专业的汽车零部…
TEM-IC 3至5kV 小室|凌世电磁 (在产)
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凌世电磁|上海凌世电磁技术有限公司
TEM-IC 小室
3至5kV · 射频辐射抗扰度测试系统 · ·IEC 61967-2
产品简介
一款工作频段为 DC ~ 2.6 GHz 范围的 TEM 小室，TEM 表示横向电磁波，TEM 小室的尺寸大小决定其截至频率，通常 TEM 小室越大， 可用的上限截止频率越低，外部信号通过 TEM 小室输入端口进行加载，在小室腔体内生产一个均匀、可控的电磁场， TEM 小室测 试腔体内的 E-H 场与输入电压成比例，与小室的高度成反比。进行 IC 或被测模块的抗扰度测试时，IC 或被测模块安装在测试夹具 上放入小室，其产生的辐射场特性也可以通过信号接收机连接小室端口进行检测。当辐射物嵌入小室内部时，辐射波经传输线引导， 朝着小室的输入 / 输出端口移动，并通过诸如频谱分析仪的接收器在端口进行辐射信号接收。 由于该 TEM 小室的工作频段较宽，因此可应用在 EMI、EMS、接收机灵敏度测试等很多领域
核心参数
• 规格型号：TEM-IC小室
应用场景
• IC 的电磁抗扰度测试
• IC 的电磁辐射测试
• IC 的 ESD 场敏感度测试
• IEC 61967-2：2005 集成电路 – 150 kHz 至 1 GHz 的电磁辐射测量 – 第 2 部分：辐射发射的测量 – TEM 单元和宽带 TEM 单元法
• IEC 61967-8：2011 集成电路 – 150 kHz 至 3 GHz 的电磁辐射测量 – 第 8 部分：辐射发射的测量 – IC 带状线方法
• IEC 62132-8：2012 集成电路 – 电磁抗扰度测量
• 150 kHz 至 3 GHz – 第 8 部分：辐射抗扰度测量 – IC 带状线方法
• SAE 1752-3 集成电路辐射发射的测量 – TEM/ 宽带 TEM（GTEM）单元法
• TEM Cell（150 kHz 至 1 GHz）
资源下载
• TEM-IC 小室 的全部技术指标已单独整理，见本产品详情页「详细指标」标签。
以上内容与指标均取自上海凌世电磁技术有限公司官网（emclioncel.com）该产品详情页，未标注口径的为厂家公布值。
上海凌世电磁技术有限公司 · onetest 仪器资源库
凌世电磁|上海凌世电磁技术有限公司
TEM-IC 小室 详细指标
3至5kV · 射频辐射抗扰度测试系统 · ·IEC 61967-2
详细指标
以下参数取自凌世官网该产品页的技术参数表原文（采集于 2026-10-22）；同一行并列的多个数值按表头型号顺序排列，用「/」分隔。
主要参数
• 规格型号：TEM-IC小室
测试参数
• 频率范围：DC ~ 2.6 GHz
• TEM Cell 阻抗：50 Ω ±5%
• VSWR：DC~1GHz ＜1.2
1.7GHz~2.6GHz ＜1.5
• 插入损耗 S21：DC~1.7GHz ＜1 dB
1.7GHz~2.6GHz ＜1.5 dB
• 反射系数 S11&S22：DC~1GHz ＞20 dB
1.7GHz~2.6GHz ＞10 dB
• 有效小室高度：40 mm
• RF连接器：N 型
• 最大输入功率：500 W
• 最大输入电压：3 kV@DC；5 kV@Pulse
• DUT 放置端口尺寸：100(W) × 100(D) mm
• 推荐的最大DUT尺寸：60 (W)× 60(W) × 3（H） mm
通用参数
• 外形尺寸：386 (W) × 190 (D) × 140 (H)mm
• 整机重量：约 1 kg
资源下载
上海凌世电磁技术有限公司官网 emclioncel.com 该产品详情页（采集于 2026-10-22），技术参数为该页技术参数表原文
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解决方案合作伙伴
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