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把 DRAM 老化（BI）与核心（Core）测试流程整合到一套系统，并行容量达 16,896 台器件，减少 BI 到核心测试之间的损失时间
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JH5520老化测试系统是针对HBM封装老化测试设备，支持高速、宽温度范围、大负载功耗的动态老化测试解决方案
主要针对DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量动态老化测试解决了DRAM可靠性和车规级器件的长时间、宽温测试的难题支持最大24个老化单板并行测试速率最高可升级200MHz已经完成迭代支持UFS4.1的BI测试UFS5.0适配迭代中
主要针对高速DRAM芯片的高速、宽温度范围、大容量的动态老化测试支持最大48个老化单板并行测试测试速度最高达到200MHz已经完成迭代支持UFS4.1的BI测试UFS5.0适配迭代中
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面向存储器大批量老化的测试系统，以高达 10MHz 频率并行测试多个老化板，B6700 单机可并行测试多达 48 块老化板
H5620 DRAM 老化与核心测试系统 16896同测|爱德万测试 (在产)
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系统与解决方案
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
H5620/H5620ES H5620 DRAM 老化与核心测试系统 16896同测
16,896 同测 · 48Slot × 352 DIB · 100MHz/200Mbps（选件 200MHz/400Mbps）
产品简介
H5620 是存储环境（高速老化 BI）测试系统。由于服务器和移动应用主要引领了存储器的发展，存储器容量将持续扩增，而收入不会随 ASP 下降而增长，供应商需要降低测试成本并增加利润。
H5620 集成了 DRAM 老化（BI）和核心（Core）测试的测试流程，有助于降低测试成本。这种混合存储器测试解决方案解决了在不断扩大 的 DRAM 市场中降低测试成本、提高测试效率的难题。
官方定位：16,896 同测 · 48Slot × 352 DIB · 100MHz/200Mbps（选件 200MHz/400Mbps）
核心参数
• 并行计数：16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB
• DIB 结构：352（22ROW × 16COL）
• 测试速率：100MHz／200Mbps，200MHz／400Mbps（许可选件）
• 引脚配置：34DR + 27IO + 8DSEL（设备选择）
• 时序指标：±500ps；500ps p-p
• 目标器件：DRAM 核心＋老化、LPDDR 核心＋老化
• 软件：继承测试仪操作系统 FutureSuite
高通量并行测试
• 与 T558x（512 台设备）相媲美的高并行测试容量（16,896 台设备）
• 支持全自动化（无人生产）
装机条件与产线优化
• 减少核心测试仪的配件与设备
• 减少生产空间
• 减少 BI 到核心测试之间的损失时间
软件与支持
• 继承 FutureSuite 操作系统
• 支持 ATL，缩短测试程序开发 TAT 并转化为核心测试程序
• 全球 SE 与 FS 团队提供程序编码、调试、关联、维护支持
典型应用场景
• DRAM 高速老化（BI）测试
• DRAM 核心（Core）测试
• LPDDR 核心与老化测试
• 全自动化无人值守产线
资源下载
• 详细指标：全部技术指标已单独整理，详见 H5620/H5620ES 详细指标页
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 H5620/H5620ES
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
H5620/H5620ES · 详细指标
16,896 同测 · 48Slot × 352 DIB · 100MHz/200Mbps（选件 200MHz/400Mbps）
产品简介
把 DRAM 老化（BI）与核心（Core）测试流程整合到一套系统，并行容量达 16,896 台器件，减少 BI 到核心测试之间的损失时间。
官方定位：16,896 同测 · 48Slot × 352 DIB · 100MHz/200Mbps（选件 200MHz/400Mbps）
核心规格
• 并行计数：16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB
• DIB 结构：352（22ROW × 16COL）
• 测试速率：100MHz／200Mbps，200MHz／400Mbps（许可选件）
• 引脚配置：34DR + 27IO + 8DSEL（设备选择）
• 时序指标：±500ps；500ps p-p
• 目标器件：DRAM 核心＋老化、LPDDR 核心＋老化
• 软件：继承测试仪操作系统 FutureSuite
高通量并行测试
• 与 T558x（512 台设备）相媲美的高并行测试容量（16,896 台设备）
• 支持全自动化（无人生产）
装机条件与产线优化
• 减少核心测试仪的配件与设备
• 减少生产空间
• 减少 BI 到核心测试之间的损失时间
软件与支持
• 继承 FutureSuite 操作系统
• 支持 ATL，缩短测试程序开发 TAT 并转化为核心测试程序
• 全球 SE 与 FS 团队提供程序编码、调试、关联、维护支持
典型应用场景
• DRAM 高速老化（BI）测试
• DRAM 核心（Core）测试
• LPDDR 核心与老化测试
• 全自动化无人值守产线
官方产品页指标原文
• 16,896 @ 48Slot × 352 DDR4 DIB
• 352 :22ROW × 16COL (100MHz/200Mbps)
• 100MHz/200Mbps 200MHz/400Mbps（许可选件）
• +/-500ps
• 500ps p-p
注：以上指标按爱德万测试中国站产品页与其公开手册整理，未特别说明者为厂商标称值；如官网与手册冲突以厂商最新发布为准。
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