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TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS（EAS）、EAR参数测量问题的解决方案
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TH530-25100B 10至2500V 半导体器件雪崩能量测试仪|同惠电子 (在产)
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同惠电子 · 常州同惠电子股份有限公司
TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪
雪崩电压 2500V · 峰值电流 100A · 通道数 2
产品简介
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。
核心参数
• 雪崩电压：2500V
• 峰值电流：100A
• 通道数：2
• 负载电感范围：0.01mH 至 159.9mH ，其中 0.01mH 至 10.0mH ，步长为 0.01mH 0.02mH 至 159.9mH ，步长为 0.1mH
• 电流传感器类型：霍尔传感器
• 峰值电流范围：0.1-200A ，步进为 0.1A
• 漏极电压范围：±（10-150） V （N 或 P 沟道）， 步进 0.1V
• 额定电压范围：10-2500V ，步进为 1V
• 栅极导通电压范围：±（2-28） V （N 或 P 沟道）， 步进为 0.1V
功能与特点
主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
A. 泄漏测试:可选择启用
每次雪崩测试前，在栅极电压设置为0的情况下，用户设置的泄漏电压会被施加到被测件上，读取电流检测器测量值。根据测试仪的设置，可以在雪崩测试前、测试后或测试前后对被测件进行泄漏测试。这不是测量实际漏电电流，而是确定被测件或测试夹具中是否存在短路的简单测试。
测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压。漏电流大于1mA会被检测为漏电故障。漏电流最大限制为 8mA。
图：测试仪内部的漏电稳压器电压可从2V设置到为被测试装置雪崩测试设置的漏极电压
B. 雪崩测试原理
当高速开关和被测件接通时， 漏极电流增加，到达指定的比较点时，高速开关与栅极关断，断开漏极电压电源。关断时，电感中存储的能量会产生较高的电压，迫使被测件（以NMOS为例）进入雪崩状态，电流路径由续流二极管维持。 因此，电感器中存储的所有能量都转移到了被测件上。此时电感上能量即为设定的可控击穿能量，也即NMOS的雪崩能量（EAS）。
图：当高速开关和被测件接通时， 漏极电流增加，到达指定的比较点时，高速开关与栅极关断，断开漏极电压电源
C. 测试结果波形
TH530可捕捉被测设备的电压和电流波形，测试仪可将波形保存到测试结果文件中，在显示屏幕上用户最多可查看最近四次的波形数据。
为便于用户查看，测试仪默认同时显示电压电流波形，用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形。
图：为便于用户查看，测试仪默认同时显示电压电流波形，用户仍可触摸“电压”或“电流”来单独查看对应波形
典型应用
• ▮ 功率半导体的研发与制造
• 评估半导体器件的雪崩耐量，确保其能承受电路中感性负载关断时产生的高压尖峰，保证出厂质量的可靠性。例如：IGBT 、MOSFET、功率二极管。
• ▮ 电源设备设计与验证
• 验证设备在输出短路等异常情况下，功率器件是否能承受因初级电感和大电流引起的雪崩能量而不损坏。例如：开关电源、逆变器等设备的功率器件。
资源下载
• 详细指标：全部技术指标已单独整理，详见 TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪 详细指标页
onetest仪器资源库 · 同惠电子 TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪
同惠电子 · 常州同惠电子股份有限公司
TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪 · 详细指标
雪崩电压 2500V · 峰值电流 100A · 通道数 2
产品简介
TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。
主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等）。通过给被测器件施加可控制的感性能量，判断出被测器件是否能正常吸收和承受电感释放的能量。经过雪崩测试的器件，就可安全地用于有反向电动势的感性负载上。
本页按官方规格资料分组收录 TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪 的全部关键技术指标；产品定位、特性与应用场景请见 TH530-25100B 产品介绍页。
技术指标
测量范围与精度
• 负载电感范围：0.01mH 至 159.9mH ，其中 0.01mH 至 10.0mH ，步长为 0.01mH 0.02mH 至 159.9mH ，步长为 0.1mH
• 峰值电流范围：0.1-200A ，步进为 0.1A
• 漏极电压范围：±（10-150） V （N 或 P 沟道）， 步进 0.1V
• 额定电压范围：10-2500V ，步进为 1V
• 栅极导通电压范围：±（2-28） V （N 或 P 沟道）， 步进为 0.1V
• 栅极关断电压范围：0 至（28V- 栅极导通电压）， 步进为 0.1V
输出与驱动
• 雪崩电压：2500V
• 峰值电流：100A
• 输出能量限制：1mJ 至 0.00495*VDD 2 mJ
• 电流传感器类型：霍尔传感器
• 交流电压输入：105 至 125VAC 和 210 至 250VAC 50/60 Hz 可选
其他参数
• 通道数：2
• 泄漏测试（雪崩前、雪崩后）：2 至（设定漏极电压 -2） V
• 栅极条件：栅极驱动电阻： 25 Ω 栅极电压精度 ：（-28V ±0.5V）至（28V ±0.5V） 栅极脉冲时间小于 1ms
• 波形捕捉和分析：波形数据可在液晶屏幕上显示
• 设备类型：N 、 P 沟道 MOSFET 、 IGBT 、二极管
注：以上指标摘自 同惠电子 官网公开产品资料，未特别说明均为典型值；指标可能随硬件与软件版本变化，恕不另行通知。
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