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面向 GDDR7／LPDDR6／DDR6 的超高速 DRAM 测试系统，速率高达 36Gbps PAM3 与 18Gbps NRZ，前端单元结构保证信号完整性
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T5801 超高速 DRAM 测试系统 36Gbps|爱德万测试 (在产)
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系统与解决方案
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
T5801 超高速 DRAM 测试系统 36Gbps
支持 GDDR7／LPDDR6／DDR6 · 36Gbps PAM3 · 18Gbps NRZ · FEU 前端单元
产品简介
为满足日益增长的人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和终端应用需求，存储技术正变得越来越复杂且速度更快。T5801 超高速 DRAM 测试系统是一款尖端技术平台，支持包括 GDDR7、LPDDR6 和 DDR6 在内的最新高速存储技术。
系统采用前端单元（FEU）结构以实现卓越的信号完整性，并具备基于硬件的测试功能，可全面覆盖下一代 DRAM 芯片（LPDDR6、GDDR7、DDR6）与存储模块（MRDIMM、CAMM）的测试，支持从研发到量产阶段的灵活测试单元架构。
官方定位：支持 GDDR7／LPDDR6／DDR6 · 36Gbps PAM3 · 18Gbps NRZ · FEU 前端单元
核心参数
• 最高测试速率：36Gbps（PAM3）
• NRZ 速率：18Gbps
• 前端结构：FEU（前端单元），实现卓越信号完整性
• 目标芯片：LPDDR6、GDDR7、DDR6
• 目标模块：MRDIMM、CAMM
• 架构：研发到量产阶段的灵活测试单元架构
超高速信号方案
• 支持 PAM3 与 NRZ 两种信号系统
• PAM3 通过三个电平进行信号传输，NRZ 通过两种电平表示信号
• 速率覆盖下一代 DRAM 与存储模块
信号完整性设计
• 前端单元（FEU）结构，实现卓越的信号完整性
• 基于硬件的测试功能全面覆盖下一代 DRAM 芯片与模块
典型应用场景
• AI 与 HPC 用高速 DRAM 器件测试
• GDDR7 图形存储器测试
• LPDDR6 移动存储器测试
• DDR6 服务器存储器与 MRDIMM／CAMM 模块测试
资源下载
• 详细指标：全部技术指标已单独整理，详见 T5801 详细指标页
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 T5801
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
T5801 · 详细指标
支持 GDDR7／LPDDR6／DDR6 · 36Gbps PAM3 · 18Gbps NRZ · FEU 前端单元
产品简介
面向 GDDR7／LPDDR6／DDR6 的超高速 DRAM 测试系统，速率高达 36Gbps PAM3 与 18Gbps NRZ，前端单元结构保证信号完整性。
官方定位：支持 GDDR7／LPDDR6／DDR6 · 36Gbps PAM3 · 18Gbps NRZ · FEU 前端单元
核心规格
• 最高测试速率：36Gbps（PAM3）
• NRZ 速率：18Gbps
• 前端结构：FEU（前端单元），实现卓越信号完整性
• 目标芯片：LPDDR6、GDDR7、DDR6
• 目标模块：MRDIMM、CAMM
• 架构：研发到量产阶段的灵活测试单元架构
超高速信号方案
• 支持 PAM3 与 NRZ 两种信号系统
• PAM3 通过三个电平进行信号传输，NRZ 通过两种电平表示信号
• 速率覆盖下一代 DRAM 与存储模块
信号完整性设计
• 前端单元（FEU）结构，实现卓越的信号完整性
• 基于硬件的测试功能全面覆盖下一代 DRAM 芯片与模块
典型应用场景
• AI 与 HPC 用高速 DRAM 器件测试
• GDDR7 图形存储器测试
• LPDDR6 移动存储器测试
• DDR6 服务器存储器与 MRDIMM／CAMM 模块测试
官方产品页指标原文
• 高速存储测试速率高达36Gbps PAM3和18Gbps NRZ*
注：以上指标按爱德万测试中国站产品页与其公开手册整理，未特别说明者为厂商标称值；如官网与手册冲突以厂商最新发布为准。
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onetest仪器资源库 · 爱德万测试 T5801 详细指标
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• 地址
上海市张江高科技园区华佗路 168 号 3 号楼 C 幢（邮编 201203）
• 网址 https://www.advantest.com/cn/
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