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提供皮秒级高精度波形传输路径与精确对接的存储器测试接口方案，分手测类、晶圆类与封装测试类，支持多 DUT 并行测试。
Advantest Interconnect Solutions 的测试接口方案，提供负载板 PCB 与 MLO 基板的设计与制造，覆盖晶圆分选与最终测试，能力达 50GHz。
专为晶圆测试设计的超细间距中介层基板（含多层有机 MLO），间距覆盖 25μm 至 200μm，支撑高并行与多 DUT 测试。
Burn-in Board 存储器老化板|爱德万测试 (在产)
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系统与解决方案
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
Burn-in Board 存储器老化板
多 DUT 并行老化 · FLASH ROM（B6700）／DRAM（H5620）· 高精度仿真设计
产品简介
Burn-in Board 能够在测试系统上并行承载大量器件，帮助确保器件可靠性并降低测试成本。爱德万提供针对不同目标器件的多种解决方案，并以高精度仿真设计实现高性能、高质量的测量。
产品分为两条线：面向 FLASH ROM 的老化板（可由 B6700 运行），以及面向 DRAM 的老化板（可由 H5620 运行）。
官方定位：多 DUT 并行老化 · FLASH ROM（B6700）／DRAM（H5620）· 高精度仿真设计
核心参数
• 类型：老化工装板（Burn-in Board／BIB）
• FLASH ROM 线：目标器件 Raw NAND／eMMC／eMCP／UFS／PCM（B6700 可运行）
• DRAM 线：目标器件 DDR／LPDDR（H5620 可运行）
• 设计方式：以高精度仿真进行设计与验证
• 作用：多 DUT 并行测试，确保器件可靠性并降低测试成本
多 DUT 并行测量
• 可在测试系统上并行承载大量器件
• 帮助确保器件可靠性并降低测试成本
按目标器件分线
• 普通闪存线覆盖 Raw NAND、eMMC、eMCP、UFS、PCM 等
• DRAM 线覆盖 DDR、LPDDR 等
• 以高精度仿真设计实现高性能、高质量的测量
典型应用场景
• NAND／UFS 存储器老化测试
• DDR／LPDDR 存储器老化测试
• 存储器可靠性验证生产线
• 配合 B6700／H5620 老化系统使用
资源下载
• 详细指标：全部技术指标已单独整理，详见 Burn-in Board 详细指标页
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 Burn-in Board
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
Burn-in Board · 详细指标
多 DUT 并行老化 · FLASH ROM（B6700）／DRAM（H5620）· 高精度仿真设计
产品简介
支持测试系统上多器件并行老化的老化板（BIB），分 FLASH ROM 与 DRAM 两线，B6700 与 H5620 分别可运行对应的板卡。
官方定位：多 DUT 并行老化 · FLASH ROM（B6700）／DRAM（H5620）· 高精度仿真设计
核心规格
• 类型：老化工装板（Burn-in Board／BIB）
• FLASH ROM 线：目标器件 Raw NAND／eMMC／eMCP／UFS／PCM（B6700 可运行）
• DRAM 线：目标器件 DDR／LPDDR（H5620 可运行）
• 设计方式：以高精度仿真进行设计与验证
• 作用：多 DUT 并行测试，确保器件可靠性并降低测试成本
多 DUT 并行测量
• 可在测试系统上并行承载大量器件
• 帮助确保器件可靠性并降低测试成本
按目标器件分线
• 普通闪存线覆盖 Raw NAND、eMMC、eMCP、UFS、PCM 等
• DRAM 线覆盖 DDR、LPDDR 等
• 以高精度仿真设计实现高性能、高质量的测量
典型应用场景
• NAND／UFS 存储器老化测试
• DDR／LPDDR 存储器老化测试
• 存储器可靠性验证生产线
• 配合 B6700／H5620 老化系统使用
注：以上指标按爱德万测试中国站产品页与其公开手册整理，未特别说明者为厂商标称值；如官网与手册冲突以厂商最新发布为准。
资源下载
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爱德万测试（中国）管理有限公司
电话：+86-21-6163-0000
传真：+86-21-2028-7600
地址：上海市张江高科技园区华佗路 168 号 3 号楼 C 幢（邮编 201203）
网址：https://www.advantest.com/cn/
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