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T5230 NAND 晶圆测试系统 1536同测|爱德万测试 (在产)
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系统与解决方案
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
T5230 NAND 晶圆测试系统 1536同测
每测试头 1024 器件并行 · 最大 1,536 同测 · 125MHz／250Mbps · 省 86% 占地
产品简介
T5230 是一款支持 NAND 闪存等非易失性存储器晶圆测试和晶圆老化测试的存储器测试系统，采用多晶圆探针台设计以减少测试场地占用空间。
系统针对 NAND／NVM 器件采用组合阵列架构，在晶圆测试（包括晶圆级老化测试 WLBI 和内置自测试 BIST）领域实现了业界领先的测试成本效益。多个测试单元通过系统控制器连接，每个测试单元可独立进行晶圆测试，测试单元可存储于通用多晶圆探针台中，并可与线性及多层堆叠配置的探针台对接。
官方定位：每测试头 1024 器件并行 · 最大 1,536 同测 · 125MHz／250Mbps · 省 86% 占地
核心参数
• 目标器件：NAND 闪存、其他非易失性存储器、晶圆级老化测试
• 并行测试：1,536
• 每测试头并行：1,024 个存储器件
• 测试速度：125MHz／250Mbps
• 占地面积：节省高达 86%
• 软件：FutureSuite 操作系统
组合阵列架构
• 针对 NAND／NVM 器件的高成本效益测试
• 支持晶圆级老化测试（WLBI）与内置自测试（BIST）
高生产率与灵活对接
• 多个测试单元通过系统控制器连接，各自独立测试
• 可与线性及多层堆叠配置的探针台对接
高速数据传输与兼容性
• 更高数据传输速度以应对 3D NAND 数据量增长
• 搭载 FutureSuite 操作系统，与旧系统高度兼容
典型应用场景
• NAND 闪存晶圆测试
• 晶圆级老化测试（WLBI）
• 内置自测试（BIST）量产筛选
• 多层堆叠探针台大规模并行测试
资源下载
• 详细指标：全部技术指标已单独整理，详见 T5230 详细指标页
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 T5230
爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试（Advantest Corporation）
T5230 · 详细指标
每测试头 1024 器件并行 · 最大 1,536 同测 · 125MHz／250Mbps · 省 86% 占地
产品简介
针对 NAND／NVM 采用组合阵列架构的晶圆测试系统，每测试头并行 1024 器件、最多 1536 同测，支持 WLBI 与 BIST，节省高达 86% 占地面积。
官方定位：每测试头 1024 器件并行 · 最大 1,536 同测 · 125MHz／250Mbps · 省 86% 占地
核心规格
• 目标器件：NAND 闪存、其他非易失性存储器、晶圆级老化测试
• 并行测试：1,536
• 每测试头并行：1,024 个存储器件
• 测试速度：125MHz／250Mbps
• 占地面积：节省高达 86%
• 软件：FutureSuite 操作系统
组合阵列架构
• 针对 NAND／NVM 器件的高成本效益测试
• 支持晶圆级老化测试（WLBI）与内置自测试（BIST）
高生产率与灵活对接
• 多个测试单元通过系统控制器连接，各自独立测试
• 可与线性及多层堆叠配置的探针台对接
高速数据传输与兼容性
• 更高数据传输速度以应对 3D NAND 数据量增长
• 搭载 FutureSuite 操作系统，与旧系统高度兼容
典型应用场景
• NAND 闪存晶圆测试
• 晶圆级老化测试（WLBI）
• 内置自测试（BIST）量产筛选
• 多层堆叠探针台大规模并行测试
官方产品页指标原文
• T5230存储器测试系统针对NAND/NVM器件采用组合阵列架构，在晶圆测试（包括晶圆级老化测试WLBI和内置自测试BIST）领域实现了业界领先的测试成本效益。该系统可在每个测试头上并行执行1024个存储器件的晶圆测试，从而实现高生产率并节省高达86%的占地面积。在T5230中，多个测试单元通过系统控制器连接，每个测试单元可独立进行晶圆测试。测试单元可存储于通用多晶圆探针台中，同时大幅减少测试单元占地面积，且测试机可与线性及多层堆叠配置的探针台对接。在测试速度高达125MHz/250Mbps的功能测试中，T5230可确保高时序精度、可重复性和故障检测能力。
• 125MHz/250Mbps
注：以上指标按爱德万测试中国站产品页与其公开手册整理，未特别说明者为厂商标称值；如官网与手册冲突以厂商最新发布为准。
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