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CN015 多路扫描测试软件。测量电池电芯的开路电压(OCV)、内部电阻(AC-IR), 测量结果同时自动匹配条形码。使用SW1001(或SW1002)可实现多个电池的边切换、边测试。只需通过电芯上的条形码查询到对应的数据文件,即可追溯到问题工序。先为电池电芯本体赋予条形码(激光印刷、标签粘贴),使用扫码枪读取条形码情报(支持双通道), 再以数据文件形式保存,规避人为输入存在的失误,全数字化模式方便后续管理。

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专用于光掩模及掩模底版超小缺陷复查与分类的 DR-SEM,SEM 空间分辨率 2nm,针对 EUV 光刻掩模要求做了多项改进设计。
支持亚 10nm 节点光罩多维观察与 SEM 测量的系统,测量产量较 E3640 提升一倍,MAM 时间与测量精度大幅改善。
支持光罩与其他图案介质图案测量的多视觉测量扫描电镜(MVM-SEM),尺寸小至 1Xnm,并为 EUV 光罩与 NIL 模板提供增强量测性能。

MASK CD-SEM E3660 光罩量测扫描电镜 亚2nm|爱德万测试 (在产)

支持亚 2nm 节点光罩的 CD-SEM,相比 E3650 测量精度提升 20% 以上,并支持曲线图案测量与基于设计的量测。
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爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试(Advantest Corporation)
MASK CD-SEM E3660 光罩量测扫描电镜 亚2nm
亚 2nm 节点 · 精度较 E3650 提升 20%+ · 大视场 SEM 图像 · 曲线图案测量
产品简介
在日益小型化、复杂化的前沿器件光刻工艺中,因多重曝光所需光罩数量增加与图案形状复杂化,测量点数量快速上升;多光束光罩写入机的引入与高性能计算技术的进步也使曲线图案设计成为可能,新的考虑曲率的测量方法随之推进。准确识别光罩图案与设计数据之间的微小差异,比以往任何时候都更重要。
E3660 通过提供可靠性优秀、可重复性强的 SEM 图像与独特测量方案,在满足包括 EUV 光刻在内的前沿光罩与纳米压印主模板测量需求的同时,实现高精度与高速测量。
官方定位:亚 2nm 节点 · 精度较 E3650 提升 20%+ · 大视场 SEM 图像 · 曲线图案测量
核心参数
• 节点覆盖:亚 2nm 光罩
• 测量精度:相比上一代 E3650 提升 20% 以上
• 测量方式:高精度大视场 SEM 图像,多点同时测量
• 轮廓提取:高精度 SEM 轮廓图像提取,强力支持光刻仿真
• 长期稳定性:Z 台聚焦控制系统+原位臭氧清洁技术,长时间无需调整
• DBM:兼容基于设计的量测(Design-Based Metrology)
• 算法:提供包括曲率测量的多种测量算法
测量精度显著改善
• 相比上一代 E3650,测量精度提升 20% 以上
• 提供可靠性优秀、可重复性强的 SEM 图像
大视场与轮廓提取
• 使用高精度大视场 SEM 图像实现多点同时测量
• 高精度 SEM 轮廓图像提取功能强力支持光刻仿真
长期稳定性与 DBM
• Z 台聚焦控制系统与原位臭氧清洁技术,实现长时间稳定 CD 测量
• 兼容 DBM,基于设计信息自动生成多点测量配方
• 支持热点与窄图案的高精度测量
曲线图案测量
• 提供包括曲率测量在内的多种测量算法
• 适配多光束光罩写入机带来的曲线图案设计
典型应用场景
• 亚 2nm 节点光罩关键尺寸测量
• EUV 光刻光罩量测
• 纳米压印主模板测量
• 曲线图案与热点高精度测量
• 光刻仿真支持
资源下载
• 详细指标:全部技术指标已单独整理,详见 MASK CD-SEM E3660 详细指标页
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 MASK CD-SEM E3660

 

 

爱德万测试 Advantest · 株式会社爱德万测试(Advantest Corporation)
MASK CD-SEM E3660 · 详细指标
亚 2nm 节点 · 精度较 E3650 提升 20%+ · 大视场 SEM 图像 · 曲线图案测量
产品简介
支持亚 2nm 节点光罩的 CD-SEM,相比 E3650 测量精度提升 20% 以上,并支持曲线图案测量与基于设计的量测。
官方定位:亚 2nm 节点 · 精度较 E3650 提升 20%+ · 大视场 SEM 图像 · 曲线图案测量
核心规格
• 节点覆盖:亚 2nm 光罩
• 测量精度:相比上一代 E3650 提升 20% 以上
• 测量方式:高精度大视场 SEM 图像,多点同时测量
• 轮廓提取:高精度 SEM 轮廓图像提取,强力支持光刻仿真
• 长期稳定性:Z 台聚焦控制系统+原位臭氧清洁技术,长时间无需调整
• DBM:兼容基于设计的量测(Design-Based Metrology)
• 算法:提供包括曲率测量的多种测量算法
测量精度显著改善
• 相比上一代 E3650,测量精度提升 20% 以上
• 提供可靠性优秀、可重复性强的 SEM 图像
大视场与轮廓提取
• 使用高精度大视场 SEM 图像实现多点同时测量
• 高精度 SEM 轮廓图像提取功能强力支持光刻仿真
长期稳定性与 DBM
• Z 台聚焦控制系统与原位臭氧清洁技术,实现长时间稳定 CD 测量
• 兼容 DBM,基于设计信息自动生成多点测量配方
• 支持热点与窄图案的高精度测量
曲线图案测量
• 提供包括曲率测量在内的多种测量算法
• 适配多光束光罩写入机带来的曲线图案设计
典型应用场景
• 亚 2nm 节点光罩关键尺寸测量
• EUV 光刻光罩量测
• 纳米压印主模板测量
• 曲线图案与热点高精度测量
• 光刻仿真支持
官方产品页指标原文
• MASK CD-SEM supporting sub-2 nm node photomasks
• Compared to the previous model, E3650, measurement accuracy has been improved by more than 20%.
注:以上指标按爱德万测试中国站产品页与其公开手册整理,未特别说明者为厂商标称值;如官网与手册冲突以厂商最新发布为准。
资源下载
onetest仪器资源库 · 爱德万测试 MASK CD-SEM E3660 详细指标

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爱德万测试(中国)管理有限公司

电话:+86-21-6163-0000

传真:+86-21-2028-7600

地址:上海市张江高科技园区华佗路 168 号 3 号楼 C 幢(邮编 201203)

网址:https://www.advantest.com/cn/


 

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